在最新研究中，科学家首先将氧化镁基磁性隧道结(MTJ)种植在一个硅表面，接着蚀刻掉下面的硅，随后使用一种转印方法，在一个由聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的柔性塑料表面，植入了一个磁性存储芯片。
新设备在磁阻式随机存取存储器(MRAM)上的操作表明，MRAM的性能在很多方面强于传统随机存取存储器计算机芯片，比如，处理速度更高、能耗更低、可在断电后存储数据等。
柔性电子设备尤以柔性磁存储设备最吸睛，因为它们是可穿戴电子和生物医学设备进行数据存储和处理的关键部件。尽管科学家已在不同存储芯片和材料上进行了多项研究，但在柔性基座上构造高性能存储芯片而无损其性能仍面临巨大挑战。为此，新加坡国立大学副教授杨贤秀(音译)领导韩国延世大学、比利时根特大学、新加坡材料研究和工程研究所的科学家研发出了这种新技术。
杨贤秀表示：“我们是首个在柔性表面构造磁性存储器的团队。实验证明，新设备的隧道磁电阻能达到300%，同时，我们也设法提升了对开关的控制能力，从而使这一柔性磁芯片能更快地传输数据。”
该团队最近在美国和韩国为这项技术申请了专利，他们正在进一步提升该设备的磁阻，并计划将其应用于其他电子设备。


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